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Infineon中文名 技术手册 CoolSiC™ MOSFET 650 V G2.pdf

Infineon中文名 技术手册 CoolSiC™ MOSFET 650 V G2.pdf

    英飞凌碳化硅MOSFET

    英飞凌CoolSiC™MOSFET650VG2

    650VCoolSiC™MOSFET采用英飞凌强大的第2代碳化硅沟槽技术，提供

    无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它能够实现经济高

    效且简化的设计，满足不断增长的系统和市场需求。

    特性

    •超低开关损耗

    •基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

    •即使栅极关断电压为0V，也能有效防止寄生开启

    •驱动电压灵活，兼容双极驱动方案

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