原创力文档英飞凌AIMZHN120R060M1T汽车级碳化硅沟道MOSFET
最终数据手册
英飞凌CoolSiC™1200V碳化硅沟道MOSFET
特性
•Tvj=-55...175°C时VDSS=1200V
•TC=25°C时IDDC=38A
•新的性能优化芯片技术（Gen1p），改善了RDSon*AFOM
•提高了建议开启电压（VGS(on)=20V）以降低RDS(on)
•业界领先的开关能量特性，可降低开关损耗并减少冷却需求
•最低的器件电容值，可实现更
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