IEC TS 62607-12-32026 纳米制造 关键控制特性 第12-3部分二维材料相关产品 二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度温度相关电流电压测量标准立项发展报告.docxVIP

纳米制造关键控制特性第12-3部分：二维材料相关产品二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度：温度相关电流–电压测量标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Nanomanufacturing-KeyControlCharacteristics-Part12-3:2Dmaterial-relatedproducts-Schottkybarrierheightsof2Dmaterial-basedfield-effecttransistors:Temperature-dependentcurrent–voltagemeasurements

摘要

随着二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物等）在纳电子器件领域的应用日益广泛，场效应晶体管（FET）作为其核心器件结构，其界面特性——特别是金属-半导体接触处的肖特基势垒高度（SBH）——对器件性能起着决定性作用。然而，由于二维材料厚度仅为原子层级，传统SBH测量方法面临显著挑战，且国际上缺乏统一的测量规范。本报告基于IECTS62607-12-3:2026标准的立项背景与制定过程，系统分析了二维材料场效应晶体管肖特基势垒高度测量的标准化需求，详细阐述了该标准的技术框架，包括测试结构要求、温度相关电流–电压（I–V-T）测量方法、数据处理与势垒提取