硅片化学机械抛光保持环多区压力控制与在线修整器摆动机构设计.docxVIP

PAGE2

硅片化学机械抛光保持环多区压力控制与在线修整器摆动机构设计

摘要

化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中实现硅片全局平坦化的核心工艺，其抛光质量直接影响芯片成品率与性能。当前CMP设备面临边缘效应显著、修整器磨损不均等痛点，导致硅片面形精度难以满足先进制程要求。

本课题以提升硅片CMP面形精度为目标，设计多腔气动加压保持环与金刚石修整器圆弧摆动机构。多腔保持环通过分区独立调压实现硅片边缘材料去除率的精准控制，抑制边缘过抛或欠抛；圆弧摆动修整器以变曲率摆动轨迹优化抛光垫修整均匀性，延长垫层寿命并稳定抛光速率。

论文遵循工程递进思路展开：第一章分析CMP边缘控制与修整技术的现实痛点；第二章论证气动伺服控制与摆动机构运动学原理的适用性；第三章建立压力控制精度与摆动轨迹均匀性的量化需求；第四章完成多腔保持环气路拓扑与摆动臂构型设计；第五章详述分区压力解耦算法与摆动轨迹规划方法；第六章展示关键部件实现与装配调试；第七章通过面形精度与修整均匀性测试验证设计效果；第八章总结多区压力协同控制与圆弧摆动补偿的创新特色，展望智能化压力调控与自适应修整的发展方向。

核心创新点：提出保持环四象限分区气动加压构型，实现边缘去除率周向差异化调控；设计圆弧导槽摆动机构，以单电机驱动实现修整器变曲率运动轨迹，简化结构并提升修整均匀性。

关键词：化学机械抛光；保持环；多区压力控制；金刚石修整器；圆