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- 2026-08-25 发布于陕西
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.单总线接口,节约布线资源
.应用简单,无需额外器件
.转换温度时间500ms
.可编程9~12位数字输出
.宽供电电压范围2.5V-5.5V
.每颗芯片有可编程的ID序列号
.用户可自行设置报警值
.超强ESD保护能力(HBM8000V)
.典型待机电流功耗1μA@3V
.典型换电流功耗0.6mA@3V;
VPU;
温度(°C);
可以为DS18B20提供足够的电流。但是当DS18B20执行温度转换或者从暂存器到E2PROM复制数据时,运行电流可以高至1.5毫安。这个电流可能引起单总线的弱上拉电阻的压降超限,而且这个电流超过了寄生电源电容可以提供的范围。为了确保DS18B20有足够的供电电流,在任何发生温度转换或者数据从暂存器复制到E2PROM的情况下,都有必要对单总线提供一个强上拉。这个强上拉可以如图4中所示,用MOSFET把总线直接拉到电源轨来实现。单总线在发布完ConvertT[44h]或者CopyScratchpad[48h]指令后,必须在10μs(最多)内切换到强上拉,并且总线在温度转换(tCONV)或数据传输(tWR=10ms)。的过程中必须被上拉保持高。当上拉被启动,单总线上不可以
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