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氮化镓HEMT器件的表面钝化技术与电流崩塌效应抑制分析

摘要（500字）

本报告聚焦第三代半导体氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的表面钝化技术，深入分析其对电流崩塌效应的抑制机理与工艺优化路径。研究范围覆盖AlGaN/GaN异质结器件的表面态物理机制、SiN钝化层沉积工艺演进及行业应用现状。

核心发现表明，表面态引发的虚栅效应是导致GaNHEMT器件电流崩塌的核心物理根源。SiN钝化层通过中和表面施主态、抑制电子注入，可将动态导通电阻（(R_{DS(on)})）退化幅度从无钝化的50%-80%显著降低至10%以内。在工艺层面，低压化学气相沉积（LPCVD）