半导体器件 第5-18部分：光电子器件 发光二极管 微型发光二极管外延片宏观光致发光试验方法 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件第5-18部分：光电子器件发光二极管微型发光二极管外延片宏观光致发光试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Part5-18:Optoelectronicdevices-Lightemittingdiodes-Testmethodofthemacrophotoluminescenceforepitaxialwafersofmicrolightemittingdiodes

摘要

随着新一代显示技术的迅猛发展，微型发光二极管（MicroLED）凭借其高亮度、低功耗、长寿命及优异的环境适应性等突出优势，被视为继LCD和OLED之后最具颠覆性的下一代显示技术。然而，MicroLED外延片的质量直接决定芯片的良率与性能，传统光致发光（Photoluminescence,PL）检测方法在微米级尺度下已难以兼顾检测效率与表征准确性。IEC60747-5-18-2026《半导体器件第5-18部分：光电子器件发光二极管微型发光二极管外延片宏观光致发光试验方法》正是在此背景下由国际电工委员会（IEC）正式立项并发布。本报告全面阐述了该标准的编制背景、技术架构和核心创新点，深入分析了宏观光致发光（Macro-PL）方法在非接