IEC TS 62607-12-32026 纳米制造 关键控制特性 第12-3部分二维材料相关产品 二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度温度相关电流电压测量标准立项发展报告.docxVIP

纳米制造关键控制特性第12-3部分：二维材料相关产品二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度：温度相关电流电压测量标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Nanomanufacturing-KeyControlCharacteristics-Part12-3:2DMaterial-relatedProducts-SchottkyBarrierHeightsof2DMaterial-basedField-EffectTransistors:Temperature-dependentCurrent–VoltageMeasurements

摘要

随着二维材料（如石墨烯、过渡金属硫族化合物等）在下一代电子器件中的广泛应用，二维材料场效应晶体管（2D-FET）的接触特性——特别是肖特基势垒高度（SBH）——已成为影响器件性能的关键参数。然而，全球范围内尚缺乏统一的测量与表征标准，导致不同研究机构和生产企业之间的数据难以横向比较，严重制约了二维材料器件的产业化进程。本报告基于国际电工委员会（IEC）发布的技术规范IECTS62607-12-3:2026，系统阐述了该标准的立项背景、技术内容、适用范围及产业意义。该标准确立了采用温度相关电流-电压（I-V-T）测量方法测定二维材料场效应晶体管肖特