30V 6A 40毫欧沟道PowerTrench MOSFET特性与应用.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约13.89万字
  • 约 12页
  • 2026-08-28 发布于北京
  • 举报

30V 6A 40毫欧沟道PowerTrench MOSFET特性与应用.pdf

2012年10月

®

FDME430NTN沟道

PowerTrench

MOSFET

30

V,

6

A,

40

毫欧

特性概述

®

◼最大

r=40毫欧(V=4=5

V,

I=6=A时)这款N沟道MOSFET采用飞兆先进PowerTrench工艺

DS(on)GSD

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档