CZ硅晶体缺陷形成与生长界面形状研究.pdf

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CZ硅中形成与生长界

面形状的研究∗

信越,石部研发,群马县安乐町石部2-13-1379-0196

通过在150mm切萨尔斯基(CZ)晶体、中部(半径中点)和边缘(距

表面10mm处)安装三个热电偶,测量了晶体生长界面附近的温度分布。结

果表明,较高的生长速率会产生较小的温度梯度(G),这一现象与FZ晶体

的相似。结果似乎并不违背平衡方程,因为温度分布会连续延伸至晶体

本体。夫理论中的生长速率(v)不会直接影响点

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