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T/CASAS076硅基氮化镓外延片射频损耗测试方法

编制说明

一、背景

1.1.标准制定必要性

随着5G通信技术的发展，氮化镓材料凭借其高功率密度、热稳定性好及宽禁带优势，

已成为5G通信领域的核心技术选择。硅基氮化镓材料利用氮化镓材料的功率和硅材料的

低成本和高集成度相结合的优势，能完美契合5G以及未来通信的技术发展。

硅基氮化镓材料在射频领域的一项重要评估指标是射频损耗，该指标与微波器件可靠性

有显著关联，也直接影响了器件的性能和成品率。衬底硅材料与氮化镓外延种子层材料存在

互扩散，其导致的射频损耗增加严重影响器件性能。随着硅基氮化镓微波材料性能突破和工

程化应用，行业内缺少用于评价或测试硅基氮化镓材料射频损耗指标的统一测试平台或方法

标准。

通过本标准研究与制定，可快速有效地评估硅基氮化镓微波材料射频损耗特性。本方法

在硅基氮化镓微波材料进行离子注入隔离，采用光刻、电镀金工艺制备标准测试图形，同时

制作标准的GSG测试结构和Pad图形，可准确地评估硅基氮化镓微波材料的射频损耗，

而不存在因测试图形和测试方法差异造成的误判。

本标准旨在规范测量硅基氮化镓材