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氧化铜的合成及应用方法概述

氧化铜气敏传感器概述

铜的氧化物是最早被发现具有气敏性能的半导体材料，早在1931年，人们就发现氧化铜的电导率会因为它对水蒸气的吸附或脱附作用而发生改变。随着新材料纳米技术的不断发展，纳米CuO表现出了高比表面积和优异的表面活性，同时根据不同的制备工艺可以生产加工出不同形貌和不同颗粒大小的氧化铜。分散性良好的新型纳米CuO气敏材料，有效地提高了它在气体传感技术领域的发展潜力。张娟等[4]利用水热合成法成功制备出了长度为300-500nm、直径为40-50nm的单斜柱状晶系的纳米棒氧化铜，通过静态配气法进行气敏性能分析，结果显示纳米棒氧化铜所