光电式传感器原理和应用.pptxVIP

光电式传感器原理和应用从光电效应到工业检测的完整技术解析

Contents目录光电式传感器原理和应用01光电效应与基本原理02光电传感器系统架构03主流检测模式深度解析04关键参数与工程术语05典型应用场景与选型实践

CHAPTER01光电效应与基本原理从光子轰击到电子跃迁，理解光电传感的物理根基

物理基础光电效应的核心概念光电效应是光电传感器工作的物理基础，分为外光电效应和内光电效应两大类，分别对应不同类型的传感器件。光电效应实验装置示意01光子-原子相互作用：每个光子携带能量E=hν必须大于材料逸出功，才能激发电子产生可检测信号02外光电效应：电子吸收光子能量后直接逸出材料表面形成光电流，典型器件包括真空光电管和光电倍增管，适用于极微弱光信号的高灵敏度探测03内光电效应：电子在材料内部因光照改变导电率或产生电动势，不逸出表面，据此制成的光敏电阻、光敏二极管和光电池是工业传感器的主流光电元件

INTERNALPHOTOELECTRICEFFECT内光电效应的两大机制内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两种机制：前者通过光照改变半导体导电率实现信号检测，后者通过PN结产生光生电动势实现能量转换。两者共同构成了现代半导体光电器件的物理基础。PHOTOCONDUCTIVE光电导效应光照使半导体价带电子跃迁至导带，产生额外电子-空穴对，载流子浓度上升导致电阻率显著下降典型器件