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- 2026-08-29 发布于河北
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一、晶闸管的基本结构
晶闸管S(emiconductorControlledRectifier简称SCR)是一种四层结构
P(NPN)的大功率半导体器件,它同时又被称可控整流器或可控硅元件。它有
三个引出电极,即阳极A()、阴极(K)和门极G()。其符号表示法和器件剖
面图如图1所示。
图1符号表示法和器件剖面图
普通晶闸管是在N型硅片中双向扩散P型杂质(铝或硼),形成片乂鸟结构,
然后在
一、晶闸管的基本结构
晶闸管S(emiconductorControlledRectifier简称SCR)是一种四层结构
P(NPN)的大功率半导体器件,它同时又被称可控整流器或可控硅元件。它有
三个引出电极,即阳极A()、阴极(K)和门极G()。其符号表示法和器件剖
面图如图1所示。
图1符号表示法和器件剖面图
普通晶闸管是在N型硅片中双向扩散P型杂质(铝或硼),形成片乂鸟结构,
然后在
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