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基于GaN的集成微波光子学：用于雷达与通信的GaN基光调制器与光电探测器单片集成微波光子链路

摘要

本报告聚焦基于氮化镓（GaN）材料的集成微波光子学前沿领域，系统研究GaN基光调制器与光电探测器单片集成链路在雷达与通信系统中的技术突破与产业前景。

研究范围涵盖GaN光波导电光效应机理、高速光电转换效率、微波光子滤波与波束赋形对相控阵天线性能的增益，以及产业链现状与竞争格局。

核心发现表明，GaN凭借其高击穿电场、高饱和电子速率和优异的热导率，在实现单片集成微波光子链路时展现出天然优势。

当前，基于GaN/AlGaN多量子阱结构的电光调制器半波电压已降至3V以下，带宽突破5