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脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及其掺杂改性的研究

一、引言

1.1ZnO薄膜概述

ZnO作为一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，在材料科学领域备受瞩目。其具有六角纤锌矿型晶体结构，这种结构赋予了ZnO独特的物理性质。在室温下，ZnO的直接带隙宽度达到3.37eV，激子束缚能更是高达60meV。与其他宽禁带半导体材料如GaN（室温激子束缚能21meV）和SiC相比，ZnO的激子束缚能优势明显，这使得激子在室温下能够稳定存在，为其在室温或更高温度下实现高效的短波长发光提供了坚实的理论基础。

通常在ZnO薄膜的形成过程中，会产生O空位和Zn间隙原子，这些本征缺陷使得ZnO天然呈现n型导电性。但随着ZnO薄膜制备工艺的不断发展，通过合理的掺杂及共掺杂手段，极大地拓宽了ZnO半导体材料的应用领域，使其具备了高导电性能、高导热性能等。加之ZnO来源丰富、价格低廉、毒性小，又具有很高的热稳定性和化学稳定性，这些优点促使氧化锌成为极具潜力的新型功能材料。

1.2ZnO薄膜的应用领域

ZnO薄膜凭借其优异的性能，在众多领域展现出了广泛的应用前景。在紫外发射器件领域，由于ZnO的禁带宽度对应紫外光的波长，通过控制其掺杂和缺陷浓度，可实现强的紫外发射，有望用于制造高性能的紫外激光二极管等器件，满足生物医学检测、环境监测等对紫外光