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《微电子机械器件磁性薄膜磁致伸缩系数测试方法》标准立项修订与发展报告

微电子机械器件磁性薄膜磁致伸缩系数测试方法标准发展报告

Micro-electromechanicaldevices—TestmethodsformagnetostrictioncoefficientofMEMSmagneticfilm

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摘要

随着微电子机械系统（MEMS）技术在智能传感、物联网、生物医疗及航空航天等领域的广泛应用，磁性薄膜作为MEMS磁敏感元件的核心功能材料，其磁致伸缩性能直接决定器件的灵敏度、稳定性与可靠性。然而，长期以来我国缺乏统一的磁性薄膜磁致伸缩系数测试方法国家标准，导致各科研机构和企业测试结果可比性差，严重制约了高性能MEMS器件的研发与产业化进程。为填补这一标准空白，国家标准项目《微电子机械器件磁性薄膜磁致伸缩系数测试方法》（标准号：2026004285）正式立项制定。本标准由全国集成电路标准化技术委员会（TC599）归口，主管部门为工业和信息化部（电子），主要起草单位包括中国电力科学研究院有限公司、中国电子技术标准化研究院和西安交通大学。标准规定了厚度约为10nm～10μm的磁性薄膜（如NiFe、CoFe、FeGa合金薄膜及多层膜等）在静态或准静态磁场下的磁致伸缩系数测量方法，涵盖试样要求、测试装置与环境、测试方法与程序、数据分析与计算及测试