《电子电路基础》第2章双极型晶体管及其放大电路.pptxVIP

Chapter02《电子电路基础》第2章双极型晶体管及其放大电路

Contents目录本章系统介绍双极型晶体管的结构原理与多级放大电路的设计分析方法。01双极型晶体管结构与工作原理02基本放大电路及其分析方法03多级放大电路与组合放大04放大电路的频率响应

CHAPTER01双极型晶体管结构与工作原理从BJT的物理结构出发，理解载流子运动与电流放大机制

Chapter02·BipolarJunctionTransistorBJT的结构与分类双极型晶体管(BJT)由两个PN结构成三层半导体结构，分为NPN和PNP两种类型。其核心结构特点是基区极薄且低掺杂、发射区高掺杂、集电区面积大，这种非对称设计是实现电流放大功能的物理基础。三层结构与两个PN结—BJT由发射区、基区、集电区三层半导体构成，形成发射结和集电结，三个区分别引出E、B、C三个电极NPN与PNP两种类型—NPN型由两层N型夹一层P型构成，PNP型相反；工作原理相同但偏置电压极性相反基区极薄且低掺杂—基区厚度仅为微米级，掺杂浓度远低于发射区，非对称结构是放大作用的关键内部条件非对称掺杂设计—发射区重掺杂提高发射效率，集电区面积大且轻掺杂以收集载流子并承受反偏电压NPN与PNP型BJT晶体管结构示意图

BJTWorkingPrinciple放大状态下的载流子运动过程BJT放大状态下，发射结正偏