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刻蚀设备研发工程师考试试卷及答案

刻蚀设备研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.刻蚀技术主要分为______和湿法刻蚀两大类。

2.反应离子刻蚀的英文缩写是______。

3.等离子体刻蚀中常用的气体如CF4、SF6属于______气体。

4.刻蚀速率的常用单位是______（?/min）。

5.刻蚀设备中的真空系统核心部件包括真空泵和______。

6.晶圆传送系统中常用的自动化装置是______。

7.刻蚀均匀性的评价指标通常用______值表示。

8.光刻胶在刻蚀过程中的作用是______目标区域。

9.电感耦合等离子体刻蚀的英文缩写是______。

10.刻蚀后清洗常用的溶剂是______。

填空题答案：

1.干法刻蚀2.RIE3.氟基4.埃/分钟5.真空阀6.机械臂7.3σ8.掩蔽9.ICP10.去离子水

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种是干法刻蚀中常用的等离子体源类型？（）

A.电感耦合（ICP）B.电阻加热C.激光D.微波

2.刻蚀选择性指的是（）

A.掩蔽层与被刻蚀层的刻蚀速率比B.晶圆表面均匀性C.刻蚀深度与宽度比D.反应气体浓度比

3.反应离子刻蚀的主要特点是（）

A.各向异性刻蚀B.各向同性刻蚀C.刻蚀速率慢D.选择性差

4.真空度的常用单位是（）

A.帕斯卡（Pa）B.摄氏度（℃）C.米（m）D.千克（kg）

5.