华为研发工程师入职笔试真题(含详细答案解析).docxVIP

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  • 2026-09-01 发布于河北
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华为研发工程师入职笔试真题(含详细答案解析).docx

华为研发工程师入职笔试真题(含详细答案解析)

考试说明

1.适用岗位:华为通用研发工程师(软件/硬件/嵌入式均可参考)

2.考试时长:90分钟

3.满分:100分

4.题型:选择题、判断题、简答题、编程实操题,贴合华为真实入职考核难度,无偏题怪题,侧重工程实操能力

一、单项选择题(共15题,每题2分,共30分)

1.C语言中static关键字的核心作用,下列说法错误的是()

A.修饰局部变量,可延长变量生命周期,程序运行期间不销毁

B.修饰全局变量,仅限当前源文件访问,外部文件无法引用

C.修饰函数,函数可被其他模块调用

D.静态变量仅初始化一次

答案:C

解析:static修饰的函数为内部静态函数,作用域仅限当前源文件,外部模块无法调用,这是模块化封装的常用手段。ABD均为static的标准特性。

2.下列电路中,属于组合逻辑电路的是()

A.触发器B.译码器C.移位寄存器D.计数器

答案:B

解析:组合逻辑电路无记忆性,输出仅由当前输入决定;时序逻辑电路带记忆、依赖时钟。译码器、编码器为典型组合电路,触发器、寄存器、计数器均为时序电路。

3.MOS管在Vgs有效工作区间内,Vgs电压增大时,漏源导通电阻Rds(on)的变化规律是()

A.变大B.变小C.不变D.先变大后变小

答案:B

解析:常规NMOS管,Vgs越大,沟道导通

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