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脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及其结构与特性的深度剖析

一、引言

1.1ZnO薄膜概述

ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具备众多优异特性，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，因而吸引了科研人员的广泛关注。

从晶体结构来看，ZnO存在六边纤锌矿结构、立方闪锌矿结构以及较为罕见的氯化钠式八面体结构，其中六边纤锌矿结构最为稳定且常见。在这种结构中，每个锌或氧原子都与相邻原子组成以其为中心的正四面体结构，晶格常量中，a=3.25埃，c=5.2埃，c/a比率约为1.60，接近1.633的理想六边形比例。这种特殊的晶体结构赋予了ZnO独特的物理性质，例如使其具有压电效应和焦热点效应。

在电学特性方面，由于本征缺陷（如氧空位、锌填隙等施主缺陷）的存在，ZnO天然呈现n型导电性。在ZnO晶体的空位形成过程中，形成氧空位所需的能量比形成锌空位所需的能量小，所以室温下ZnO材料通常以氧空位为主，氧空位产生了2价施主，进而使其表现出N型导电。根据自补偿原理，氧空位的浓度和氧填隙的浓度之积是常数，当氧空位的浓度很大时，氧填隙的浓度很小，而锌空位的浓度较小，锌填隙的浓度则较大。

光学特性上，ZnO是直接宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这一特性使得ZnO能够实现室温下的高效率激子发射以及紫