1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

60V 21A低导通电阻沟道MOSFET特性与应用.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约13.87万字
  • 约 16页
  • 2026-09-02 发布于北京
  • 举报

60V 21A低导通电阻沟道MOSFET特性与应用.pdf

    2013年4月

    FDPF320N06LN沟道

    PowerTrench®

    MOSFET，60

    V，21

    A，25

    m

    特点描述

    R=20m(典型值)@

    V=10V,

    I这款N沟道MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor的

    DS(on)GS

    =21A

    •R=23m(典型值)@

    V=5V,

    IPowerTrench工艺制造，旨在在保持卓越开关性能的同时最小化

    DDS(on)GS

    rss

    =17A

    低栅极电荷(典型值23.2

    nC)

    低C

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >