原创力文档《基于第三代半导体(GaN)的射频电源性能测试
方法》（征求意见稿）
编制说明
一、工作简况
（一）任务来源
本文件由中国技术市场协会提出，经中国技术市场协会标准
化工作委员会批准，正式列入2026年团体标准制修订计划，标
准名称为《基于第三代半导体(GaN)的射频电源性能测试方法》。
（二）项目背景
第三代半导体氮化镓（GaN）凭借高频、高效率、高功率密
度、耐高温等突出优势，已成为射频电源核心功率
《基于第三代半导体(GaN)的射频电源性能测试
方法》（征求意见稿）
编制说明
一、工作简况
（一）任务来源
本文件由中国技术市场协会提出，经中国技术市场协会标准
化工作委员会批准，正式列入2026年团体标准制修订计划，标
准名称为《基于第三代半导体(GaN)的射频电源性能测试方法》。
（二）项目背景
第三代半导体氮化镓（GaN）凭借高频、高效率、高功率密
度、耐高温等突出优势，已成为射频电源核心功率
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