GB/T 42709.35-2026半导体器件 微电子机械器件 第35部分:柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法.pdf

  • 1
  • 0
  • 约1.3万字
  • 约 24页
  • 2026-09-01 发布于四川
  • 正版发售
  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  •   |  2026-07-30 颁布
  •   |  2027-02-01 实施

GB/T 42709.35-2026半导体器件 微电子机械器件 第35部分:柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法.pdf

ICS31.200

CCSL55

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT42709.352026IEC62047-352019

半导体器件微电子机械器件

:

第部分柔性器件弯曲形变下的

35MEMS

电特性测试方法

——

SemiconductordevicesMicro-electromechanicaldevices

:

Part35Testmethodofelectricalcharacteristicsunderbendindeformationfor

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档