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高性能沟道横向RF功率MOSFET器件.pdf

高性能沟道横向RF功率MOSFET器件.pdf

    表格

    {

    边框‑折叠:

    折叠;

    }

    表格,

    表头,

    单元格

    {

    边框:

    1px

    实线

    #000;

    }

    射频功率场效应晶体管

    N沟道增强型横向MOSFET

    专为数字和模拟蜂窝PCN及PCS应用设计，工作频率范围为1000至2500

    MHz。在

    商业和工业应用中，针对26伏电压下的A类和AB类工作特性进行优化。

    •双音性能指标@1930

    MHz,

    26伏

    输出功率≥4瓦PEP

    功率增益

    ≥

    11

    dB

    效率

    ≥

    30%

    失真

    ≤

    –29

    dBc

    •可承受10:1电压驻波比，@

    26

    Vdc，

    2000

    MHz，4瓦连续波输出功率

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