CN119486225A 沟槽栅碳化硅mosfet器件及其制造方法 （上海贝岭股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486225A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411624789.8

(22)申请日2024.11.14

(71)申请人上海贝岭股份有限公司

地址200233上海市徐汇区宜山路810号

(72)发明人钟圣荣吴一帆曹荣荣薛璐洁

吴城城

(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283

专利代理师陈臻晔王丹

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)