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APM3009N无铅沟道MOSFET特性及应用.pdf

APM3009N无铅沟道MOSFET特性及应用.pdf

    •30V/35A

    ,

    RDS(导通)=7mΩ(典型值)

    @

    VGS=10V

    RDS(导通)=11mΩ(典型值)

    @

    VGS=4.5V

    •密度单

    元设计｜end▁of▁sentence｜

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