集成电路制造技术与实践 课件 第13--15章 先进的集成工艺、封装工艺、品质认证及智慧制造系统.pptx

第13章先进的集成工艺;

13.1阱工艺;;

2.阱工艺流程

如图13-1-2所示，传统阱工艺流程主要包括衬底薄膜生长(多为氧化层，用于保护衬底等)、光刻(定义离子注入区域)、离子注入(能量和剂量为晶圆厂核心机密)、去胶与清洗，以及相应的退火工艺(形成均匀阱区域)。不同的器件需要不同的阱工艺(不同的离子注入区域、能量和剂量)，故阱工艺中可根据需求定义多道光刻版层，而各道的阱工艺流程基本与上述流程一样。;;

13.1.2阱工艺技术的参数考量

1.阱工艺光刻环节参数考量

表13-1-1为常见的65nm工艺节点的部分设计规则(DesignRule)。从表13-1-1

中可