集成电路制造技术与实践 课件 第11、12章 金属化工艺、化学机械平坦化(CMP)工艺.pptx

第11章金属化工艺;

11.1金属化材料;

11.1.1多晶硅

通常对于栅极和局部互连材料导电性的要求是薄膜材料的电阻率ρ≤60μΩ·cm，并在工艺中具有较好的稳定性和可靠性。相较于金属Al，多晶硅与二氧化硅等材料的接触更加稳定；同时，多晶硅具有更好的高温稳定性。Al的熔点较低，如果在后续工艺中涉及需要退火的离子注入，或其他高温淀积工艺，则可能破坏Al栅结构及性能。多晶硅材料还具有典型的半导体特性，在后续离子注入工艺中，不仅能够实现源漏的构造，同时能够通过掺杂进一步降低多晶硅材料的电阻率。对多晶硅进行掺杂，还能够调控器件的阈值电压，以SiPMOSFET为例，阈值电压能够