集成电路制造技术与实践 课件 第7、8章 化学气相淀积(CVD)工艺、外延工艺.pptx

第7章化学气相淀积(CVD)工艺;

7.1CVD的过程与模型;

(4)淀积：薄膜基本元素在衬底表面淀积形成薄膜。

(5)脱吸：化学反应的气态副产物和未反应的反应剂脱离衬底表面吸附。

(6)逸出：脱离衬底表面吸附的气态副产物和未反应的反应剂从衬底表面扩散到主气流区，随后逸出反应室。;;

7.1.2CVD模型

在构建CVD模型时，认为反应剂气流具有黏滞性，也就是说反应剂分子的平均自由程远小于反应室几何尺寸。反应剂气体在经过衬底表面或反应室侧壁时，会受到衬底表面或反应室侧壁的摩擦力作用，使紧贴衬底表面或侧壁的气流速度为零；而当远离衬底表面或侧壁时，逐渐过渡到最大气流速度Um(主