集成电路制造技术与实践 课件 第3、4章 硅晶圆清洗工艺、热氧化工艺.pptx

第3章硅晶圆清洗工艺;

3.1集成电路制造过程中的主要污染物;

2.有机物

人体皮肤分泌的油脂、洁净室内的空气、机械设备使用的润滑油、有机硅基真空油脂、光刻胶、清洗溶剂以及其他有机污染物均可能被发现。这些污染物虽然以不同的方式对工艺产生影响，但其主要作用都是形成有机层，从而妨碍清洗剂有效接触晶圆表面。因此，清除有机物通常被视为清洗流程的首要步骤。;

3.金属污染物

金属互连材料常被用于实现独立元件之间的连接。其原理是：通过光刻与刻蚀技术，在绝缘层上精确形成接触孔，随后利用蒸发、溅射或化学气相淀积(CVD)技术沉积金属以构建互连。在构建过程中，首要步骤是对Al-Si、Cu