高速双端口同步SRAM技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-03 发布于北京
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高速双端口同步SRAM

工艺技术:TSMC

CL018GRA2SH_256x32

256X32,4选

1复用器,12驱动

特性器描述

针对TSMC六层金属0.18m

CL018G

CMOS工艺的精确256X32

SRAM是一种高性能同步双端口器,容量为

2

优化

度设计(面积为0.227mm)

快速时间

•快速

•256字×32位,专为充分利用TSMC六层金属0

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