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- 2026-09-03 发布于北京
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高速双端口同步SRAM
工艺技术:TSMC
CL018GRA2SH_256x32
256X32,4选
1复用器,12驱动
特性器描述
•
针对TSMC六层金属0.18m
CL018G
CMOS工艺的精确256X32
SRAM是一种高性能同步双端口器,容量为
2
优化
度设计(面积为0.227mm)
快速时间
•快速
•256字×32位,专为充分利用TSMC六层金属0
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