T∕CASAS 015-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.18万字
  • 约 12页
  • 2026-09-03 发布于浙江
  • 举报

T∕CASAS 015-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法.pdf

ICS31.080.30

CCSL44

团体标准

T/CASAS015—2025

代替T/CASAS015—2022

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)功率循环试验方法

Powercyclingtestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor(SiCMOSFET)

2025-12-30发布2025-12-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档