原创力文档FQP85N06
N沟道QFET®
MOSFET
60伏，85安，10毫Ω
产品描述这款N沟道
增强
型功率MOSFET采用飞兆®独有的平面条状DMOS技术制造。该先进
MOSFET技术专为降低导通电阻、卓越开关性能及高雪崩能量承受能力而优化。适
用于开关电源、音频放大器、直流电机控制及可变开关电源应用。
特性
•85A，60
V，RDS(导通)=10mΩ(最大值)
@VGS=10V，ID‑42.5
A
•低栅极电荷（典型值86
nC）
•低Crss（典型值165
pF）
•100%
雪崩测试通过
•17
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