原创力文档最终数据手册
英飞凌IKY150N65EH7高速、低饱和电压650VTRENCHSTOP™IGBT7技术
与快速软恢复发射极控制7二极管共同封装
特性
•VCE=650V
•IC=150A
•低开关损耗
•极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat
•非常柔软、快速恢复的反并联二极管
•平滑切换
•防潮性
•针对硬开关、两电平和三电平拓扑进行了优化
•完整的产品品类和PSpice模型：/igbt/
潜在应用
•工业级不间断电源（UPS）
•电动汽车充电桩
•组串式逆变器
•
您可能关注的文档
- 原创力使用说明书BX3M-CB CBFM用户手册.pdf
- Victaulic(唯特利) 产品说明书 77型 技术手册.pdf
- Instron 安装指南 68SC-1 安装指南.pdf
- Zhejiang Meiga Hua Medical Technology Co., Ltd. 用户手册 肠内营养泵 用户手册.pdf
- SHANGHAIPINYANM&CTECHNOLOGYCO.,LTD 产品说明书 STPSplitter 产品说明书.pdf
- Shure 舒尔 电池充电器 用户手册.pdf
- Shanghai Hengyuan Bridge Engineering Group Co., Ltd. 产品说明书 Cone Crusher 用户手册.pdf
- ISC上升器 用户手册 RP210 RP220 用户手册.pdf
- Shenghan SHE-6安培检测器 用户手册.pdf
- GU 用户手册 GU641BC 用户手册.pdf
文档评论（0）