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5Gn79频段BAW滤波器TCF补偿与插入损耗优化设计

摘要

随着第五代移动通信技术(5G)在全球范围内的加速商用，频谱资源日益紧张，高频段通信成为提升网络容量的关键路径。n79频段(4.4-5.0GHz)作为5G核心频段之一，其工作频率高、带宽大，对射频前端滤波器的性能提出了严苛要求。体声波(BAW)滤波器凭借其高品质因数、高功率承受能力和优异频率选择性，成为n79频段射频前端滤波器的首选方案。然而，BAW滤波器存在温度漂移系数(TCF)偏大、插入损耗偏高等固有缺陷，严重制约了其在高频段的实际应用。本研究针对n79频段BAW滤波器的TCF补偿与插入损耗优化展开系统性设计，提出二氧化硅(SiO?)温度补偿层与电极厚度协同优化的技术方案。

本文首先阐述BAW滤波器工作原理与TCF产生机理，分析现有补偿技术的优势与不足。在此基础上，第三章完成滤波器设计需求分析，明确温度漂移小于7ppm/℃、插入损耗小于1.3dB、带外抑制大于40dB@n77等核心指标。第四章开展系统总体设计，确定SiO?补偿层材料选型与结构参数。第五章进行详细设计，重点阐述补偿层厚度优化算法与电极厚度解析模型。第六章通过仿真实现验证设计有效性。第七章完成系统测试，测试结果表明，优化后的滤波器TCF降低至6.2ppm/℃，插入损耗降至1.15dB，带外抑制达到42dB@n77，各项指标