C设计核心问题:体效应、单元与验证流程.pdf

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ASIC面试问题|end▁of▁sentence|

WhatisBodyeffect?

MOSFET的阈值电压受施加到背接触的电压影响。源极和体之间的电压差

VBS改变了耗尽层的宽度,因此也改变了由于耗尽区电荷变化引起的氧化物上

的电压。这导致阈值电压的差异,该差异等于耗尽区电荷的差异除以氧化物电

容,得出:。|end▁of▁sentence|

什么是单元?|end▁of▁s

entence|

在设计中,单元方法是一种设计具有主要数字逻辑功能的集成

电路(ASIC)的方法。单元方法是

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