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单晶硅的制备工艺概述

目录

TOC\o1-3\h\u7881单晶硅的制备工艺概述 1

265901.1单晶硅片制备工艺 1

206431.1.1直拉单晶硅棒生长技术 1

237991.1.2直拉单晶硅具体生产流程 2

276551.2悬浮区熔法单晶硅生长工艺 5

191701.1.1悬浮区熔法制备单晶硅生长工艺原理 5

208951.1.2悬浮区熔单晶硅的具体生长工艺 6

156601.3直拉法和区熔法主要特点比较 7

1.1单晶硅片制备工艺

当前制备单晶硅主要有两种技术，根据晶体生长方式不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。区熔单晶硅是利用悬浮区域熔炼的方法制备的，所以又称为FZ单晶硅.直拉单晶硅是利用切氏法制备,称为CZ单晶硅REF_Re\r\h[2]。现在一般工业生产单晶硅以CZ法为主，因为其制备工业相对FZ法来说更节约成本。根据工艺的差异，制备出的单晶硅也有不同的特点，区熔单晶硅因其纯度高，可达99.999999%纯度，主要应用于大功率器件方面,或红外探测器，芯片，航空航天等高新科技领域。而直拉单晶硅因其原料充足，可大规模生产大尺寸化单晶硅等优势，主要应用于太阳能电池方面,是光伏产业的顶梁柱，也是单晶硅的主体。

1.1.1直拉单晶硅棒生长技术

直拉法又称