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GaN基PN结二极管结构的分析概述

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TOC\o1-2\h\u6244GaN基PN结二极管结构的分析概述 1

60151.1GaN基PN结二极管基本结构 1

268211.2GaN基PN结二极管优化结构 2

GaN基垂直结构的功率器件与其他传统的以硅、碳化二氧基硅等为衬底的功率器件或者其他GaN基横向结构的功率器件相比，都具有很多的优势，它可以有效地帮助实现降低导电通整流电阻和提高击穿电压[2]。氮化镓基垂直结构的元器件主要具有下列明显的性能优点：一是在相同器件尺寸的条件下，通过增加外延层厚度的方法可以有效地提高氮化镓基垂直器件的击穿电压，提高器件的性能[51]；二是器件的峰值电场从整个半导体的表面向半导体内部移动，垂直器件的电场分布情况比其他器件更均匀，因此器件具有更高的可靠性[2]；三是氮化镓基垂直器件的电流也比其他器件的电流分布均匀，因此，在相同的电压下，该器件允许通过的电流更大，进而具有更高的电流传输密度[2]；四是氮化镓基垂直器件的热性能更好，散热快，对器件有很好的保护作用[2]。鉴于GaN垂直结构器件的上述优点，最近几年，氮化镓垂直器件得到了更加广泛的关注与研究。

在垂直功率器件中，GaN基pn二极管具有更低的正向压降和更加快速的反向恢复特性，该器件具有低的导通损耗，开关损耗低，同时还可以获得高的开关频率。同时，GaN-on-GaN