GaN自发极化方向解析从晶体结构到判断方法.pdfVIP

一、什么是自发极化？GaN中这一现象的根源

在无外电场作用的情况下，某些晶体材料内部的正电荷中心和负电荷中心会天

然地不重合，导致整个晶体沿某一特定方向表现出固定的电性，这种现象被称

而具有极高的电子迁移率理解极化方向对器件设计至关重要例如传统的Ga极性面HEMT中DEG位于异质结界面下方而在N极性面HEMT中由于自发极化方向相反DEG的分布和限域特性有所不同理论上可以获得更低的欧姆接触电阻和独特的器件性能因此精准控制晶

为自发极化。它就像晶体内部自带了一个方向确定的“小电池”。对于氮化镓

（GaN）而言，这一现象的根源深植于其独特的原子结构和化学键特性。

GaN由电负性差异较大的镓（Ga）原子和氮（N）原子构成，这使得Ga-N键

并非纯粹的共价键，而带有显著的离子键特征。更重要的是，GaN在常温常压

下最稳定的晶体结构是纤锌矿结构。这种结构的一个关键特性是缺乏中心对称

性，即晶体中不存在一个点，使得该点两边的原子排列完全镜像对称。这种结

构上的不对称性，结合离子键带来的电荷分布不均匀，共同导致了正负电荷中