IEC 60749-282022 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第28部分静电放电(ESD)灵敏度试验.带电器件模型(CDM).器件级标准立项发展报告.docxVIP

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IEC 60749-282022 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第28部分静电放电(ESD)灵敏度试验.带电器件模型(CDM).器件级标准立项发展报告.docx

半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)灵敏度试验带电器件模型(CDM)器件级标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-MechanicalandClimaticTestMethods-Part28:ElectrostaticDischarge(ESD)SensitivityTesting-ChargedDeviceModel(CDM)-DeviceLevel

摘要

随着半导体器件集成度不断提高、制造工艺持续微缩,静电放电(ESD)对器件可靠性的威胁日益突出,已成为影响电子产品质量与寿命的关键因素之一。在各类ESD失效模型中,带电器件模型(ChargedDeviceModel,CDM)因其高度贴近实际生产、组装和运输过程中的静电充电-放电场景,被业界公认为最具代表性的器件级ESD测试模型。IEC60749-28:2022RLV是国际电工委员会发布的关于半导体器件CDM静电放电灵敏度试验的现行标准,其前身可追溯至IEC60749-28:2017。该标准系统规定了CDM测试的试验条件、测试设备要求、测试程序及失效判据,为全球半导体器件制造商、测试实验室及终端用户提供了统一的测试方法与技术依据。本报告全面梳理了该标

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