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2026年春招：工艺整合真题及答案

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一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于去除硅片表面氧化层()

A.光刻B.刻蚀C.沉积D.掺杂

2.化学机械抛光（CMP）主要用于()

A.表面平坦化B.增加厚度C.改变颜色D.提高硬度

3.光刻工艺中，用于将掩膜图案转移到硅片上的是()

A.显影液B.光刻胶C.刻蚀气体D.掺杂剂

4.离子注入的主要目的是()

A.形成绝缘层B.改变半导体导电性C.增加表面粗糙度D.提高反射率

5.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）()

A.氧气B.氮气C.硅烷D.氢气

6.湿法刻蚀和干法刻蚀相比，湿法刻蚀的优点是()

A.各向异性好B.刻蚀速率快C.选择性高D.无污染

7.扩散工艺中，杂质原子的扩散方式主要是()

A.间隙扩散B.空位扩散C.表面扩散D.晶界扩散

8.光刻工艺中，曝光光源的波长越短，分辨率()

A.越高B.越低C.不变D.不确定

9.以下哪种设备用于检测硅片表面缺陷()

A.光刻机B