CN119553251A 一种制备多孔低介电常数SiOCH薄膜的方法 (中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-05 发布于重庆
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CN119553251A 一种制备多孔低介电常数SiOCH薄膜的方法 (中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119553251A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202411617051.9C23C16/30(2006.01)

H01L21/762(2006.01)

(22)申请日2024.11.13

H01L21/02(2006.01)

(71)申请人中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限

公司

地址057550河北省邯郸市肥乡区化工工

业聚集区纬五路1号(经营场所:纬五

路1号、世纪大街6号)

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