CN119546169A 一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法 (中国科学院半导体研究所).pdfVIP

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  • 2026-09-07 发布于重庆
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CN119546169A 一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法 (中国科学院半导体研究所).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119546169A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411612500.0

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人中国科学院半导体研究所

地址100083北京市海淀区清华东路甲35

(72)发明人骆军委王一徐刘洋管闪

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事

务所(普通合伙)11201

专利代理师杜月

(51)Int.Cl.

H10N50/01(2023.01)

H10N50/20(2023.01)

H10N50/80(2023.01)

权利要

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