MOS集成门电路 (2)精选全文完整版.pptVIP

MOS集成门电路;;;;（2)MOS管的工作原理;;;;;;1.NMOS管的开关特性;当vGSVT时,G与S间没有形成导电沟道,呈高阻状态,阻值约为109～1010Ω,MOS管截止。iD=0。;当vGS增加到vGSVT,且vDS0,若vGDVT时,D-S间的沟道夹断,,iD不随vDS增加而增加。MOS管工作于恒流区,沟道电阻增大,一般rDS(on)在几十到几百千欧之间。

恒流区也称为饱和区、放大区。;当vGS增加vGSVT,且vDS0,若vGDVT时,D-S间有导通沟道,呈低阻状态,iD随vDS增大线性上升,则MOS管工作于线性区,vGS不同,斜率不同。vGS越大,曲线越陡,D-S之间的等效电阻越小。rDS(on)一般在1kΩ以下。线性区也称为可变电阻区、未饱和区,相当于双极型三极管的饱和区。;（4)NMOS管的开关特性;（a)当vI＝vGSVT时，MOS管工作于截止区，iD≈0mA，vO＝VDD－iDRD≈VDD，RDS（off)极大，约为109Ω以上，相当于开关断开。;（b)当vI＝vGS＞VT时，MOS管导通，iD＞0。VI较小时，工作于恒流区，随vI增加，iD增大，输出电压vO减小。;（c)当vI≥vm（vm是进入线性区的临界电压)，M