CN119846421A 一种碳化硅器件测试方法、系统及存储介质 （杭州高坤电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119846421A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510329530.9

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人杭州高坤电子科技有限公司

地址311122浙江省杭州市余杭区闲林街

道裕丰路7号5号楼4层

(72)发明人胡久恒孙浩

(74)专利代理机构北京维正专利代理有限公司11508

专利代理师王婉芬

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种碳化硅器件测试方法、系统及存储介质

(57)摘要

CN119846421A本发明提供一种碳化硅器件测试方法、系统及存储介质，方法包括：获取测试信号，基于测试信号生成加热信号以向碳化硅器件通恒流来加热碳化硅器件；获取碳化硅器件的加热温度，判断加热温度是否达到预设温度，若达到，生成关断信号，基于关断信号停止向碳化硅器件通恒流、对碳化硅器件降温，以及向碳化硅器件通反向电流，并获取碳化硅器件在开始通反向电流时的第一测试参数以及在结束通反向电流时的第二测试参数；判断是否还需要对碳化硅器件进行测试，若需要，继续基于所述测试信号生成加热信号；若不需要，生成结束信号，以停止向碳化硅器件进行测试。本申请能够有效可靠地对MOS管