CN119846900A 一种用于去除光刻胶树脂中残留酸的方法 （上海集材微电子材料技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119846900A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311336412.8

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人上海集材微电子材料技术有限公司

地址201417上海市奉贤区上海化学工业

区目华路201号1幢20层2009室

(72)发明人李新正周旋宋清政王锦山

(74)专利代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535

专利代理师吕少楠

(51)Int.Cl.

G03F7/004(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种用于去除光刻胶树脂中残留酸的方法

(57)摘要

CN119846900A本发明提供一种用于去除光刻胶树脂中残留酸的方法。所述方法包括：将待处理的光刻胶树脂通过混合树脂进行纯化，所述混合树脂为阳离子交换树脂和阴离子交换树脂混合后形成的树脂。所述方法可以很好地实现光刻胶树脂中残留酸的去除，能够避免残留酸导致的光刻胶树脂脱保护反应的发生，处理后的光刻胶树脂的留膜率不低于85％。所述方法还能进一步去除光刻胶

CN119846900A

CN119846900A权利要求书