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微型双沟道功率场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-09-07 发布于北京
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微型双沟道功率场效应晶体管特性与应用.pdf

    1996年2月

    NNDS9959

    双N沟道增强型场效应晶体管

    一般描述特性

    这些N沟道增强模式电力场效应2.0A，50V。R

    =0.3@

    V

    =10V

    晶体管是采用国家专有的高单元DS(ON)GS

    密度DMOS技术。这种密度工艺是DS(ON)

    度单元设计，实现极低R。

    特别设计用于最小化导通电阻，优异的开

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