场效应管及其基本放大电路.pptVIP

*假设工作在饱和区满足假设成立，结果即为所求。解：例3.2.1：设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?，试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ。VDD=5V，VT=1V，一、直流偏置及静态工作点的计算P79:静态工作点的计算步骤§3.2场效应管单管放大电路212页有直流计算的步骤。*二、图解分析负载开路，交流负载线与直流负载线相同§3.2场效应管单管放大电路*（1）模型三、小信号模型分析求全微分:变化量低频跨导，可从输出曲线上求出漏极与源极间等效电阻此部分为教材推导过程，物理特性反映不明显。粗略分析，以下页分析为主。

*三、小信号模型分析场效应管输出特性表达式：求全微分:漏极与源极间等效电阻变化量其中：低频跨导（1）模型gm可从输出曲线上求出*三、小信号模型分析一般rds很大，与负载并联可忽略，FET可等效为受控电流源。增强型：*例3.2.2：电路如图所示，设Rd=3.9kΩ，VDD＝5V，VGS=2V，场效应管的VT=1V，Kn＝0.8mA/V2，λ=0.02V-1。当MOS管工作于饱和区时，试确定电路的小信号电压增益。解：1、求静态值VGS-VT=1VVDS工作于饱和区2、求FET的