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半导体CMOS工艺技术考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.CMOS工艺中，N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的互补特性是基于什么原理？

A.电子和空穴的迁移率差异

B.栅极电压控制

C.源极和漏极的连接方式

D.衬底材料的类型

2.在CMOS工艺中，哪一层材料通常用作隔离层？

A.氮化硅

B.氧化硅

C.多晶硅

D.掺杂硅

3.CMOS电路中，逻辑门的基本单元是什么？

A.三极管

B.MOSFET

C.双极晶体管

D.二极管

4.在CMOS工艺中，哪一步骤用于形成晶体管的沟道？

A.光刻

B.扩散

C.氧化

D.腐蚀

5.CMOS电路中，PMOS和NMOS的阈值电压通常是如